منتديات الهندسة الكهربية و الالكترونية  

العودة   منتديات الهندسة الكهربية و الالكترونية > المنتديات الهندسية > منتدى دراسة الهندسة الكهربية والألكترونية عن بعد Distance education

منتدى دراسة الهندسة الكهربية والألكترونية عن بعد Distance education دورات مفصلة للإعداد : من الألكترون إلى الميكروكونترولر والمتحكمات القابلة للبرمجة

 
 
أدوات الموضوع اسلوب عرض الموضوع
  #1  
قديم 10-24-2012, 12:30 PM
Admin Admin غير متواجد حالياً
Eng.F.Abdelaziz
 
تاريخ التسجيل: Jul 2010
مشاركات: 3,580
افتراضي أساسيات أشباه الموصلات Semiconductor Basics

أساسيات أشباه الموصلات Semiconductor Basics

إذا كانت المقاومات هى العنصر "السلبى – الغير نشط " passive الأساسى فى الدوائر الكهربائية والالكترونية , فيجب علينا اعتبار "ثنائى الإشارة" Signal Diode هو العنصر "الإيجابى – النشط " Active الأساسى . على خلاف المقاومة , لا يتصرف الثنائى خطيا بالنسبة للجهد المطبق , حيث أن له منحنى خواص بين التيار والجهد I – V "أسى" exponential وبالتالى لا يمكن وصفه ببساطة عن طريق استخدام قانون أوم كما نفعل مع المقاومات .
الثنائيات هى أشباه موصلات أحادية الاتجاه والتى من شأنها أن تسمح بمرور التيار من خلالها فى اتجاه واحد فقط , وهى تتصرف كأنها "صمام" valve كهربائى باتجاه واحد ( حالة الانحياز الأمامى) . لكن قبل أن نلقى نظرة على كيفية عمل ثنائيات "الإشارة" signal و "القدرة" power نحتاج أولا لفهم بناؤها الأساسى ومفاهيمها .
تصنع الثنائيات من قطعة واحدة من مادة شبه موصلة والتى لها منطقة موجبة "P – region" فى أحد نهايتيها ومنطقة سالبة "N – region" عند النهاية الأخرى , هذه القطعة لها قيمة مقاومة بين الموصل والعازل . لكن ما هى مادة "أشباه الموصلات" ؟ , فى البداية نلقى نظرة على ما يجعل شيئا إما موصل أو عازل .

المقاومة النوعية (المقاومية) Resistivity :
عموما , تعرف المقاومة الكهربية electrical Resistance للعنصر أو الجهاز الكهربائى أوالالكترونى باعتبارها النسبة ratio بين فرق الجهد عبره والتيار المار خلاله , بناء على قانون أوم . المشكلة مع استخدام المقاومة كمقياس هى أنها تعتمد إلى حد كبير على الحجم الطبيعى للمادة المقاسة بالإضافة إلى المادة المصنع منها , فعلى سبيل المثال , إذا تمت زيادة طول المادة ( جعلناها أطول) فإن هذا من شأنه زيادة مقاومتها أيضا . بالمثل , إذا تمت زيادة قطرها وبالتالى مساحة مقطعها ( جعلناها أسمك) فإن هذا من شأنه نقصان المقاومة . لذلك نحن نريد أن نكون قادرين على تعريف المادة بطريقة تبين قدرتها على إما توصيل أو معارضة مرور التيار الكهربائى خلالها بغض النظر عن حجمها أو شكلها . الكمية التى تستخدم لبيان ذلك هى "المقاومة النوعية" أو "المقاومية" Resistivity ويرمز لها بالحرف اليونانى "رو" ρ (Rho) . تقاس المقاومة النوعية بالأوم – متر
Ohm-metres, ( Ω-m ) وهى معكوس "التوصيلية" conductivity .









إذا تمت مقارنة المقاومة النوعية للمواد المختلفة , يمكن تصنيفها إلى ثلاث مجموعات رئيسية :
  • الموصلات Conductors .
  • والعوازل Insulators
  • وأشباه الموصلات Semi-conductors .
كما هو مبين بالشكل التالى :







تلاحظ أيضا أن هناك هامش (فرق) صغير للغاية بين المقاومة النوعية للموصلات مثل الفضة والذهب , مقارنة بهامش أكبر من ذلك بكثير للمقاومة النوعية للعوازل بين الزجاج والكوارتز. المقاومة النوعية لجميع المواد , فى نفس الوقت , تعتمد أيضا على درجة حرارتها .
الموصلات Conductors :







من الشكل العلوى تلاحظ أن الموصلات هى المواد التى لها قيمة منخفضة للمقاومة النوعية تسمح لها بإمرار التيار الكهربائى بسهولة نتيجة لوجود كمية كبيرة من الالكترونات الحرة تطفو حول داخل هيكل الذرة الأساسى . عندما يتم تطبيق ضغط جهد موجب على هذه المادة فإن الالكترونات الحرة تترك الذرة الأم وترحل معا خلال المادة لتشكل إنجراف الكترونى electron drift. أمثلة على الموصلات الجيدة : المواد المعدنية عموما , مثل النحاس والالومنيوم والفضة , أو المواد الغير معدنية مثل الكربون , لأن هذه المواد بها عدد قليل من الالكترونات فى غلاف التكافؤ الخارجى , مما يؤدى لسهولة ركلها (إزاحتها) خارج مدار الذرة . وهذا يسمح لها بالتدفق (المرور) بحرية خلال المادة حتى ترتبط بذرات أخرى , مما ينتج عنه "تأثير الدومينو" خلال المادة وبالتالى خلق التيار الكهربائى .
وبصفة عامة , فإن معظم المعادن metals موصلات جيدة للكهرباء , لأن لها قيم مقاومة نوعية صغيرة جدا , عادة فى حدود الميكروأوم لكل متر , مع زيادة المقاومة النوعية للموصلات بزيادة درجة الحرارة لأن الموصلات تكون أيضا موصل جيد للحرارة بوجه عام .
العوازل Insulators








العوازل من جهة أخرى تكون على عكس الموصلات تماما . فهى مصنوعة من مواد ,عامة غير معدنية , والتى لديها عدد قليل جدا من الالكترونات (أو لا يوجد الكترونات) حرة تطفو حول داخل البنية الأساسية لذرتها لأن كترونات غلاف التكافؤ الخارجى تكون مجذوبة بشدة بواسطة الشحنة الموجبة الداخلية للنواة . حتى إذا تم تطبيق ضغط جهد على هذه المادة فلن يمر تيار لعدم وجود الكترونات متحركة وهذا ما يعطى تلك المواد خواص العزل .

العوازل لها مقاومة نوعية مرتفعة , ملايين الأوم لكل متر , وعامة لا تتأثر بالتغيرات بدرجة الحرارة العادية ( الخشب فى درجات الحرارة المرتفعة يتحول إلى الفحم ويتحول من عازل إلى موصل ) . أمثلة على العوازل الجيدة : الرخام , و الكوارتز المنصهر , منتجات البلاستيك , والمطاط وغيرها .
تلعب العوازل دورا هاما جدا فى الدوائر الكهربائية والالكترونية , لأنه بدونها قد يحدث قصر بالدوائر الكهربائية ولا تعمل . على سبيل المثال , يتم استخدام العوازل المصنوعة من الزجاج أو الخزف لعزل الكابلات وتدعيم كابلات النقل الهوائية فى حين يتم استخدام مواد راتنجات "الايبوكسى – الزجاج" لصناعة لوح الدوائر المطبوعة PCB's وغيرها .
أشباه الموصلات Semiconductor
  #2  
قديم 10-24-2012, 11:59 PM
Admin Admin غير متواجد حالياً
Eng.F.Abdelaziz
 
تاريخ التسجيل: Jul 2010
مشاركات: 3,580
افتراضي

أشباه الموصلات Semiconductor






المواد شبه الموصلة مثل السليكون ((Si والجرمانيوم (Ge) وزرنيخ الجاليوم (GaAs), لها خصائص كهربائية فى مكان ما فى الوسط بين المواد الموصلة والمواد العازلة . فهى ليست موصلات جيدة ولا عوازل جيدة ( لهذا سميت "أشباه موصلات" Semiconductor) . هذه المواد بها عدد قليل من الالكترونات الحرة لأن ذراتها مجمعة معا قى نمط بلورى يسمى "الشبكة البلورية" "crystal lattice". ومع ذلك , فإن قدرتها على التوصيل الكهربائى يمكن تحسينها كثيرا عن طريق إضافة بعض "الشوائب" "impurities" لهذه البنية البلورية وبالتالى تنتج الكترونات حرة أكثر من الفجوات أو العكس بالعكس .
عن طريق التحكم فى كمية الشوائب التى تضاف للمادة شبه الموصلة , من الممكن التحكم فى توصيلها . هذه الشوائب تسمى "المانحة أو المعطية " donors أو " مستلمة أو متقبلة " acceptors تبعا لما تنتجه , الكترونات electrons أو فجوات holes . عملية إضافة ذرات الشوائب إلى ذرات أشباه الموصلات ( فى حدود واحد ذرة شوائب لكل 10 مليون أو أكثر ذرة أشباه موصلات) تسمى "تطعيم" Doping (إو إشابة).
المادة شبه الموصلة الأكثر شيوعا إلى حد بعيد هى السليكون silicon . السليكون له أربعة الكترونات تكافؤ فى غلاف التكافؤ الخارجى والتى تشترك مع الذرات المجاورة لتشكيل "مدار كامل" من ثمانى الكترونات . هيكل الرابطة التساهمية بين ذرتين من السليكون يكون بحيث أن كل ذرة تشترك بالكترون واحد مع جاراتها لجعل الرابطة مستقرة جدا . ولأن هناك عدد قليل جدا من الالكترونات الحرة المتاحة للانتقال من مكان لآخر لإنتاج التيار الكهربائى , فإن بلورات السليكون (أو الجرمانيوم) النقية تكون عوازل جيدة , أو على أقل تقدير لها قيم مقاومات مرتفعة جدا . يتم ترتيب ذرات السليكون فى نمط محدد متماثل مما يجعلها بنية بلورية صلبة . بلورة السليكون النقى ( ثانى أكسيد السليكون أو الزجاج) عامة يقال أنها بلورة أصيلة intrinsic crystal
( ليس بها شوائب) .
الشكل التالى يبين البناء الشبكى لبلورة السليكون النقية .







أشباه الموصلات : النوع السالب N-type Semiconductor :

من أجل أن تقوم بلورة السيليكون بتوصيل الكهرباء , نحن بحاجة لإدخال ذرة شوائب مثل الزرنيخ أو الانتيمون أو الفسفور فى البنية البلورية مما يجعلها "غير أصيلة" extrinsic ( تم إضافة شوائب) . هذه الذرات بها خمسة الكترونات بالمدار الأبعد والتى تشترك مع الذرات المجاورة وهذه المواد تسمى عادة شوائب "خماسية التكافؤ" . وهذا يسمح لأربعة من الخمسة الكترونات بالارتباط مع ذرات السيليكون المجاورة لها وتترك الكترون حر واحد لكى يتنقل عندما يتم تطبيق جهد كهربائى ( تدفق الالكترونات ) . حيث أن كل ذرة شوائب "تمنح أو تعطى" "donates" الكترون واحد , فإن الذرات خماسية التكافؤ تعرف باسم "المانحة" "donors" .
الأنتيمون كثيرا ما يستخدم كمادة مضافة خماسية التكافؤ حيث أن به 51 الكترون مرتبة فى خمسة أغلفة حول النواة. مادة شبه الموصل الناتجة بها فائض من الالكترونات حاملة التيار , ولكل منها شحنة سالبة ولذلك يشار إليها بمادة النوع السالب "N-type" مع تسمية الالكترونات "حاملات الاغلبية "
"Majority Carriers" وما ينجم عنها من ثقوب holes تسمى "حاملات الأقلية"
"Minority Carriers" . وبالتالى تكون المادة شبه الموصلة من النوع السالب N-type عندما تكون كثافة "المانح"donor أكبر من كثافة "المتقبل" acceptor . لذلك فإن شبه الموصل من النوع السالب به الكترونات أكثر من الثقوب .
الشكل التالى يبين تركيب وشبكة التطعيم الأنتيمون كشوائب :








أشباه الموصلات : النوع الموجب P-Type Semiconductor

إذا ذهبنا فى الاتجاه الآخر , وأدخلنا شوائب "ثلاثية التكافؤ" ( 3 الكترون) فى التركيب البلورى , مثل الألومنيوم , أو البورون أو الأنديوم , حيث تتاح ثلاثة الكترونات تكافؤ فقط للرابطة التساهمية وهذا يعنى أن الرابطة الرابعة لا يمكن أن تتشكل . نتيجة لذلك فإن التوصيل الكامل غير ممكن , مما يعطى مادة شبه الموصل وفرة من من حاملات الشحنة الموجبة المعروفة بالفجوات "holes" فى هيكل البلورة . ونظرا لوجود فجوة فإن الالكترون الحر المجاور ينجذب إليها ويحاول الانتقال للفجوة لملئها . ومع ذلك , فإن الالكترون الذى يملء الفجوة يترك فجوة آخرى وراءه كلما تنقل . وهذا بدوره يجذب الكترون آخر والذى بدوره يخلق فجوة آخرى خلفه , وهكذا مما يعطى مظهر أن الثقوب تتحرك كشحنة موجبة خلال التركيب البلورى ( تدفق التيار الاصطلاحى) . ولأن كل ذرة شوائب تولد فجوة , فعامة تعرف الشوائب الثلاثية التكافؤ باسم "المتقبل" "Acceptors" لأنها باستمرار "تتقبل" الكترونات إضافية .
البورون كثيرا ما يستخدم كمادة مضافة ثلاثية التكافؤ حيث أن له فقط خمسة الكترونات مرتبة فى ثلاثة أغلفة حول النواة . إضافة البورون يسبب أن التوصيل يتكون أساسا من حاملات شحنة موجبة وتنتج مادة من النوع الموجب "P-type" وتسمى الفجوات الموجبة "حاملات الأغلبية" "Majority Carriers" فى حين تسمى الالكترونات الحرة "حاملات الأقلية" "Minority Carriers" . أى أن أشباه الموصلات تكون من النوع الموجب عندما تكون كثافة "المتقبل" أكبر من كثافة مانحه . لذلك فإن شبه الموصل من النوع الموجب به ثقوب أكثر من الالكترونات .
الشكل التالى يوضح تركيب وشبكة التطعيم بشوائب ذرة البورون :



خلاصة أشباه الموصلات :

النوع السالب N-type ( مثال إضافة الأنتيمون) :
المواد التى بها إضافة لذرات شوائب خماسية التكافؤ ( المانحة Donors ) وتوصل عن طريق حركة "الالكترونات" تسمى أشباه الموصلات من النوع السالب N-type .
فى هذه الأنواع من المواد :
1- المانحون Donors موجبة الشحنة .
2- يوجد عدد كبير من الالكترونات الحرة .
3- يوجد عدد قليل من الفجوات بالنسبة لعدد الالكترونات الحرة .

4- التطعيم يعطى :
  • مانحون موجبة الشحنة .
  • الكترونات حرة سالبة الشحنة .
5- مصدر الإمداد بالطاقة يعطى:
  • الكترونات حرة سالبة الشحنة .
  • فجوات موجبة الشحنة .
النوع الموجب P-type ( مثل إضافة البورون) :
المواد التى بها إضافة لذرات شوائب ثلاثية التكافؤ ( المتقبلة Acceptors ) وتوصل عن طريق حركة "الفجوات " تسمى أشباه الموصلات من النوع الموجب P -type .
فى هذه الأنواع من المواد :
1- المتقبلون Acceptors سالبة الشحنة .
2- يوجد عدد كبير من الفجوات .
3- يوجد عدد قليل من الالكترونات الحرة بالنسبة لعدد الفجوات .

4- التطعيم يعطى :
  • متقبلون سالبة الشحنة .
  • فجوات موجبة الشحنة .
5- مصدر الإمداد بالطاقة يعطى:
  • فجوات موجبة الشحنة.
  • الكترونات حرة سالبة الشحنة.
وكل من الأنواع الموجبة والسالبة ككل , تكون متعادلة كهربائيا .

الوصلة "الموجبة – السالبة" The PN junction :
  #3  
قديم 10-25-2012, 01:01 AM
Admin Admin غير متواجد حالياً
Eng.F.Abdelaziz
 
تاريخ التسجيل: Jul 2010
مشاركات: 3,580
افتراضي

الوصلة "الموجبة – السالبة" The PN junction :

فى الفقرة السابقة رأينا كيفية عمل مادة شبه موصلة من النوع السالب عن طريق تطعيمها بالانتيمون وكيفية عمل مادة شبه موصلة موجبة عن طريق التطعيم بالبورون . هذا كلة حسن وجيد , لكن مواد أشباه الموصلات من النوع السالب ومن النوع الموجب لا تفعل سوى القليل من تلقاء نفسها لأنها متعادلة كهربائيا , لكن عندما يتم وصلهما (أو صهرهما) معا فإن هذه المواد تتصرف بطريقة مختلفة تماما وتنتج ما هو معروف بالوصلة "الموجبة – السالبة" PN Junction .
عندما يتم وصل (ربط) مواد أشباه الموصلات من النوع السالب والنوع الموجب معا لأول مرة فإنه يتواجد تدرج (إنحدار) gradient كثافة كبيرة جدا بين كلا جانبى الوصلة حتى أن بعض الالكترونات الحرة من ذرات شوائب التطعيم تبدأ فى النزوح عبر هذه الوصلة المشكلة حديثا لملء الفجوات فى المادة من النوع الموجب لتنتج أيونات سالبة . مع ذلك , ولأن الالكترونات قد انتقلت عبر الوصلة من سيليكون النوع السالب إلى سليكون النوع الموجب , فإنها تترك وراءها أيونات المانح موجبة الشحنة (ND) على الجانب السالب , والآن فإن الفجوات من شوائب المتقبل تنزح عبر الوصلة فى الاتجاه المعاكس إلى منطقة تواجد أعداد كبيرة من الالكترونات الحرة . نتيجة لذلك , يتم تعبئة كثافة الشحنة للنوع الموجب على طول الوصلة بأيونات المتقبل سالبة الشحنة (NA) , وتصبح كثافة الشحنة للنوع السالب على طول الوصلة موجبة الشحنة . يعرف هذا الانتقال للالكترونات والفجوات عبر الوصلة بالانتشار diffusion .
هذه العملية تتم ذهابا وإيابا حتى يصل عدد الالكترونات التى تعبر الوصلة إلى شحنة كهربائية كبيرة بما فيه الكفاية لتنفر أو تمنع أى حاملات أكثر من عبور الوصلة . المناطق على جانبى الوصلة تصبح "مستنفذة" أو "ناضبة" depleted من أى الكترونات حرة بالمقارنة مع مواد النوع السالب والنوع الموجب البعيدة عن الوصلة . فى نهاية المطاف سوف تحدث حالة من التوازن ( حالة متعادلة كهربائيا) وتنتج منطقة "جهد حاجز" "potential barrier" حول منطقة الوصلة حيث ذرات المانح تنفر الفجوات وذرات المتقبل تنفر الالكترونات .
وحيث أنه لا يوجد حاملات شحنة حرة يمكن أن تبقى فى المكان حيث يوجد مناطق جهد حاجز على جانبى الوصلة مستنفذة (ناضبة) من أى حاملات شحنة أكثر بالمقارنة بالمواد من النوع السالب والنوع الموجب البعيدة عن الوصلة . هذه المنطقة حول الوصلة تسمى طبقة الاستنفاذ أو النضوب Depletion Layer .



الشحنة الكلية على كل جانب للوصلة يجب أن تكون متساوية ومتضادة للحفاظ على حالة تعادل الشحنة حول الوصلة . إذا كانت منطقة طبقة النضوب مسافتها D ,فإنه يجب بالتالى أن يكون هناك اختراق بالسليكون بالمسافة Dp للجانب الموجب , ومسافة Dn للجانب السالب لإعطاء العلاقة بين الاثنين بالصيغة :
Dp.NA = Dn.ND من أجل الحفاظ على على تعادل الشحنة كما تسمى أيضا التوازن .

ونظرا لأن مادة النوعN فقدت الكترونات ومادة النوع P فقدت ثقوب , فإن المادة N تصبح موجبة بالنسية للمادة P . وبالتالى فإن وجود أيونات الشوائب على جانبى الوصلة يؤدى إلى إنشاء مجال كهربائى electric field عبر هذه المنطقة ويكون الجانب N</SPAN> عند جهد موجب بالنسبة للجانب P . المشكلة الآن هى أن الشحنات الحرة تتطلب بعض الطاقة الإضافية للتغلب على الحاجز الموجود الآن من أجل أن تكون قادرة على عبور منطقة استنذاف (نضوب) الوصلة .
هذا المجال الكهربائى الذى نشأ عن طريق عملية الانتشار ينجم عنه " فرق جهد داخلى " عبر الوصلة مع الدائرة المفتوحة ( الانحيار الصفرى ) تبعا للعلاقة :


حيث : Eoجهد الوصلة عند الانحيار الصفرى , و VT الجهد الحرارى بقيمة 26 mV عند درجة حرارة الغرفة , و ND و NAهى تركيزات الشوائب و ni هى تركيز المادة الأصلية .
ويمكن لجهد موجب مناسب ( إنحياز أمامى) يطبق بين نهايتى الوصلة PN أن يزود الالكترونات الحرة والثقوب بالطاقة الإضافية . الجهد الخارجى مطلوب للتغلب على هذا الجهد الحاجز والذى يتواجد الآن والذى يعتمد كثيرا وبشدة على نوع مادة شبه الموصل المستخدمة ودرجة حرارتها الفعلية . عادة , فى درجة حرارة الغرفة يكون الجهد عبر طبقة النضوب للسليكون حوالى 0.6 - 0.7 وللجرمانيوم حوالى 0.3 - 0.35 volts . هذا الجهد الحاجز سوف يتواجد دائما حتى إذا لم يتم توصيل الجهاز إلى أى مصدر قدرة خارجى .
أهمية هذا الجهد الداخلى عبر الوصلة , أنه يعارض كل من مرور الفجوات والالكترونات عبر الوصلة وهذا هو سبب تسميته بجهد الحاجز . عمليا , يتم تشكيل الوصلة PN بداخل بلورة مفردة من المادة بدلا من مجرد ربط أو صهر قطعتين معا . أيضا يتم صهر تلامسات كهربائية على جانبى البلورة لتمكين التوصيل الكهربائى الواجب عمله بالدائرة الخارجية . لذلك فإن الجهاز الناتج والذى تم عمله يسمى "ثنائى الوصلة PN "
PN junction Diode أو "ثنائى الإشارة" Signal Diode .
ثنائى الوصلة The Junction Diode
  #4  
قديم 10-26-2012, 12:11 AM
Admin Admin غير متواجد حالياً
Eng.F.Abdelaziz
 
تاريخ التسجيل: Jul 2010
مشاركات: 3,580
افتراضي

ثنائى الوصلة The Junction Diode

التأثير السابق وصفه يتحقق دون تطبيق أى جهد خارجى على الوصلة الفعلية , والنتيجة أن تكون الوصلة فى حالة من التوازن . مع ذلك , إذا تم توصيل كل من طرفى المادة السالبة والمادة الموجبة بمصدر بطارية , عندئذ يتواجد مصدر طاقة إضافى للتغلب على الحاجز مما يؤدى إلى أن الالكترونات الحرة تكون قادرة على عبور منطقة النضوب من أحد الجانبين إلى الجانب الآخر . سلوك الوصلة PN فيما يتعلق بعرض جهد الحاجز هو إنتاج جهاز بطرفين غير متماثل للتوصيل , والمعروف باسم بثنائى الوصلة Junction Diode .
الثنائى هو واحد من أبسط أجهزة أشباه الموصلات , والتى لها خاصية تمرير التيار فى اتجاه واحد . ولكن , خلافا للمقاومة , الدايود لا يتصرف خطيا بالنسبة للجهد المطبق , حيث أن الدايود له علاقة أسية بين الجهد والتيار وبالتنالى لا يمكننا وصف عمله ببساطة عن طريق استخدام معادلة مثل قانون أوم .
إذا تم تطبيق "جهد موجب" مناسب (انحياز أمامى) بين طرفى الوصلة PN , فإنه يمكنها الإمداد بالكترونات حرة وفجوات مع الطاقة الإضافية التى تحتاج إليها لعبور الوصلة , حيث أن عرض طبقة النضوب حول الوصلة PN ينخفض .
عن طريق تطبيق "جهد سالب (انحياز عكسى) تكون النتيجة أن الشحنات الحرة يتم سحبها بعيدا من الوصلة , والنتيجة زيادة عرض طبقة النضوب .
هذا له تأثير زيادة أو تقليل المقاومة الفعالة للوصلة نفسها , لتسمح أو تمنع مرور التيار خلال الثنائى .
بناء على ذلك فإن طبقة النضوب تتسع مع زيادة الجهد العكسى المطبق وتضيق مع زيادة الجهد الأمامى المطبق . ويرجع ذلك إلى الاختلاف فى الخواص الكهربائية على جانبى الوصلة PN مما أدى إلى حدوث تغيرات طبيعية . أحد النتائج هى إنتاج "تقويم أو توحيد" rectification كما يرى بالخصائص الاستاتيكية بين التيار والجهد I – V لثنائى الوصلة PN . يظهر التقويم عن طريق مرور التيار الغير متماثل عندما يتم تبديل قطبية جهد الانحياز كما هو موضح بالشكل التالى :





 

أدوات الموضوع
اسلوب عرض الموضوع

تعليمات المشاركة
لا تستطيع إضافة مواضيع جديدة
لا تستطيع الرد على المواضيع
لا تستطيع إرفاق ملفات
لا تستطيع تعديل مشاركاتك

BB code is متاحة
كود [IMG] متاحة
كود HTML معطلة

الانتقال السريع


الساعة الآن 08:57 PM.


Powered by EEECO; Version 3.8.5
Copyright ©2000 - 2014, EEECB